[ソニー(株)]カメラの進化を実現し続ける次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発
2012-01-23
従来のCMOSイメージセンサーでは、同一チップ上に画素部分とアナログ・ロジック回路を搭載するため、回路規模とチップサイズ、画素部分と回路部分の配置によるノイズ対策、画素特性と回路トランジスタ特性の最適化など、数々の制約があり、大規模な回路を搭載する上での課題となっていました。
当社は、従来の裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップを用い、その上に裏面照射型画素が形成された画素部分を重ね合わせるという、積層構造の確立に成功しました。この積層構造により、小さなチップサイズで大規模な回路の搭載が可能となります。また、画素部分と回路部分をそれぞれ独立したチップとして形成するので、画素部分は高画質化に特化し、回路部分は高機能化に特化した製造プロセスを採用できるため、高画質化・高機能化・小型化を同時に実現できます。さらに、回路が形成されたチップに先端プロセスを採用することで、信号処理の高速化・低消費電力化も図れます。